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会社沿革

会社沿革

2002/11/26
株式会社GENUSION設立

2003/10
中小企業創造活動促進法にて事業認定

2004/06
B4-Flash最初のメモリセル試作を行い、ゲート長50nmでB4-Flash動作を確認

2004/09
2層Flex-MCP技術による受託生産開始 (大手組立生産会社を生産委託先として)

2005/04
3層Flex-MCP技術による受託生産開始

2006/03
130nm、4Mbitのテストチップを試作しB4-Flashアレイ動作を実証、信頼性評価を実施

2006/06
半導体国際学会“2006 Symposium on VLSI Technology”にて世界初の50nmゲート長NORセルをB4-Flash技術で発表

2006/06
経済産業省の中小企業新事業活動支援補助金に当社不揮発性メモ リ技術の開発が採択

2007/08
半導体メモリ国際学会“2007 Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop”にてB4-Flash開発成果について発表

2007/08
NEDOの助成事業としてB4-Flash技術の実用化開発が採択

2008/03
フィンランド・ノキア社主催の第1回技術コンペにおいて、B4-FlashがBest Future Device Architectureとして最優秀賞に選出された

2008/04
環境マネジメントシステムISO14001の認証を取得

2008/05
B4-Flash及びeCFlash技術開発の成果について、半導体メモリ国際学会“2008 Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop”にて発表

2008/11
90nm B4-Flash検証用 64Mbitテストチップの第1試作品で動作を確認

2009/02
EE Times社の2008 Emerging Startupsのリストに世界60社中の1社として選出

2009/05
半導体メモリ国際学会“2009 International Memory Workshop”にて従来型NORフラッシュの限界を超えたゲート長90nm,メモリセルの製品化技術を発表

2010/05
株式会社産業革新機構による投資が実施

2010/12
神奈川県川崎市の「かながわサイエンスパーク」(KSP)に当社の設計能力拡大のため、東京デザインセンター(TDC)を開設、業務を開始

2011/11
急激に拡大している中国の半導体メモリ市場に対応して、当社メモリソリューション提供のため、当社の中国現地法人を上海に設立

2012/02
当社とローム株式会社との間で、当社のB4-Flashメモリ技術に関するライセンス契約を締結

2013/06
当社と株式会社ジェイでバイスとの間で、当社のPackage技術である「Si-Cupsule」技術に関するライセンス契約を締結

2013/08
米国サンタクララで開催のFlash Sumit 2013にて、当社ストレージ技術の発表と展示を実施

2013/11
当社の高セキュリティストレージ技術完全物理消去型メモリ(CE-File Memory)軒時が日系トレンディのトレンド・フォーカスで紹介

2013/12
当社が2014年経済産業省「がんばる中小企業・小規模事業者300社」に選定された

2014/3
当社CE-File Memoryが、近畿経済産業局の「関西ものづくり新撰」に選定された

2014/3
当社CE-File Memoryが、兵庫県の「ひょうご新商品調達認定制度」の第9回認定新商品に選定された