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B4-Flash技術

次世代NOR型 Flashメモリ B4-Flash Memory

当社は国内NOR型Flashメモリメーカーです。B4-Flashメモリは当社発明の新しい動作原理B4-HE書込み方式を用いた独自の大容量Flashメモリです。従来NOR型Flashメモリと比べ次の優れた特徴を持っています。

B4-Flash メモリの3大特徴
NOR Flashの技術限界を突破するB4-Flash
当社発明の新動作原理=B4-HE注入メカニズム
B4-Flashの技術

1.8V製品
Product No.
Memory
Density
Power
Supply
I/O Access Time
(Random/Page)
Package Status DataSheet
G28FVW5121S1TE 512Mbit
SLC
VCC=1.8V x8,x16 115ns / 30ns 56TSOP Productoin Download
G78FVW001KSQAE 1Gbit SLCx2 VCC=1.8V x16 115ns / 30ns 90FBGA Productoin Download
G78FVW002KSQAC 2Gbit MLCx2 VCC=1.8V x16 200ns / 30ns 90FBGA Productoin Download
3.3V製品
Product No.
Memory
Density
Power
Supply
I/O Access Time
(Random/Page)
Package Status DataSheet
G29FXW1281x1TE 128Mbit
SLC
VCC=3.3V x8,x16 80ns / 20ns 56TSOP Productoin Download
G29FXW1281x1DE 64BGA
G29FXW2571x1TE 256Mbit
SLCx2
VCC=3.3V x8,x16 85ns / 20ns 56TSOP Sampling お問合せ
G29FXW2571x1DE 64BGA
G29FXW2561x1TE 256Mbit
MLC
VCC=3.3V x8,x16 100ns / 20ns 56TSOP under
development
お問合せ
G29FXW2561x1DE 64BGA
G29FXW5131x1TE 512Mbit
MLCx2
VCC=3.3V x8,x16 105ns / 20ns 56TSOP under
development
お問合せ
G29FXW5131x1DE 64BGA
G29FXW5121x1TE 512bit
SLC
VCC=3.3V x8,x16 110ns / 25ns 56TSOP under
development
お問合せ
G29FXW5121x1DE 64BGA
G29FXW100Jx1TE 1Gbit SLC VCC=3.3V x8,x16 110ns / 25ns 56TSOP Sampling お問合せ
G29FXW100Jx1DE 64BGA
G29FXW200Jx1TE 2Gbit SLCx2 VCC=3.3V x8,x16 110ns / 25ns 56TSOP under
development
お問合せ
G29FXW200Jx1DE 64BGA
G29FXW200Kx1TE 2Gbit SLC VCC=3.3V x16 90ns / 15ns 56TSOP under
development
お問合せ
G29FXW200Kx1DE 64BGA
G29FXW400Kx1TE 4Gbit MLC VCC=3.3V x16 110ns / 15ns 56TSOP under
development
お問合せ
G29FXW400Kx1DE 64BGA
G29FXW161LSQxC 16Gbit MLCx4 VCC=3.3V TBD 110ns / 20ns TBD under
development
お問合せ

x=H: Highest Sector Protected, x=L: Lowest Sector Protected

※内容は予告なく変更する場合がありますのでご了承ください